摩臣5娱乐科技處

科技﹝2022﹞40號

各二級學院（部、中心、所）🏘：

為深入實施創新驅動發展戰略🦉，加快建設具有全球影響力的科技創新中心，根據《上海市建設具有全球影響力的科技創新中心“十四五”規劃》♣️，上海市科學技術委員會特發布2022年度“探索者計劃”項目申報指南。

一、征集範圍

（一）高端醫療裝備領域

專題一、醫學影像裝備基礎材料

方向1🫵🏻、能譜分辨探測器用銫鉛溴單晶的新型鈣鈦礦材料

研究目標💸：明確大尺寸銫鉛溴單晶生長動力學過程與缺陷調控機理，揭示器件載流子傳輸規律及其離子遷移機理，實現醫學X射線或伽馬射線的高靈敏度、低探測極限、高能譜分辨探測🤹🏼‍♀️。

研究內容：開展大尺寸銫鉛溴單晶生長與性能調控研究🧖🏽‍♂️，解析單晶缺陷的類型、分布規律及其形成機理。開展載流子輸運與界面物理研究🧎‍♂️‍➡️，探索銫鉛溴單晶暗電流抑製方案及離子遷移機理，構建高偏壓離子移動背景下的載流子“漂移—擴散”模型🎄，明確單晶缺陷、界面復合與離子移動極化對載流子輸運性能的影響規律💓。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度💪🏼：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元❗️。

專題二、醫學影像前沿成像技術

方向1🩰、新型心臟PET/MR采集與重建算法模型

研究目標：建立自由呼吸下的三維心臟PET/MR聯合重建方法，實現快速、運動魯棒👨🏼‍🦰、精準的心臟PET/MR成像。

研究內容：研究自由呼吸下的三維快速心臟MR成像技術🤞🏽，開發三維心臟PET/MR聯合重建算法、運動補償下的心臟PET衰減校正及PET與MR圖像匹配等技術。系統評估同步PET/MR成像在心力衰竭等復雜心臟疾病鑒別診斷✷、治療決策及預後價值🧘🏽‍♀️😠。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元🧑🏿‍🎨。

方向2、磁共振4D肺成像技術

研究目標：建立自由呼吸下磁共振4D肺成像技術，實現高空間分辨率（不低於1.0mm各向同性）、高時間分辨率（不少於20個呼吸相）的全肺結構成像和通氣量功能成像。

研究內容🥵：圍繞肺結節💂🏻‍♂️🏄🏼、肺炎等重大疾病的早期檢測需求🆒，研究基於超短回波成像序列和4D圖像重建算法👩，獲得在自由呼吸下高清晰度的肺部結構圖像和通氣量功能圖像，開展功能圖像的自動分析。

執行期限🤵🏽☢️：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度：定額資助🧏🏿🗃，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

方向3、高通量X射線下半導體探測器中電荷輸運機製及影響

研究目標👨🏽‍🎓：闡明不同物理要素對電荷輸運及探測器計數穩定的影響機製⛓，揭示其對CT圖像質量的影響🧑🏼‍🤝‍🧑🏼↪️。

研究內容：構建高通量X射線下三維電荷輸運定量模型，並對模型的有效性、準確性進行實驗驗證🐻。研究半導體能帶結構、缺陷構成等物理要素對探測器計數穩定性和光子計數CT成像質量的影響。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度🧑‍🏫：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

專題三🍕🙎🏻‍♀️、醫學影像應用基礎研究

方向1、基於核素心肌灌註顯像的非阻塞性冠脈疾病分子影像學預後監測模型

研究目標：建立非阻塞性冠脈疾病的核素分子影像學預後監測模型，精準疾病風險分層。

研究內容：研究非阻塞性冠脈疾病MPI圖像分割、識別及特征提取中的新算法👱🏼‍♂️，聯合相位分析技術自動獲取相位帶寬、相位標準差及相位熵，篩選核醫學影像預後標誌物，實現心肌血流量及冠脈血流儲備指導下的非阻塞性冠脈疾病的核輔助精準預測及臨床應用驗證。

執行期限♓️：2022年10月1日至2025年9月30日🧙。

經費額度🪹：定額資助🤱🏻，擬支持不超過1個項目🥷🏼🧑🏿‍🍳，每項資助額度50萬元🙇。

方向2🌡、狹窄、閉塞性心腦血管疾病新型影像學標誌物研究

研究目標👫🏻：獲得心腦血管狹窄與閉塞性病變的新型影像標誌物⚗️，提升心腦血管疾病的精準診療。

研究內容：探究磁共振及CT等的心腦血管狹窄、閉塞性的影像學特征變化規律及機製，研究篩選可用於指導臨床的新型影像學標誌物🏋️，解析狹窄、閉塞性心腦血管疾病的病程與分期✦，實現冠脈及腦血管的精確成像🧑🏽‍🚀。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度：定額資助🍺，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元🕵🏽‍♂️。

方向3、腫瘤微環境的動態可視化研究及其在腫瘤免疫治療中的應用

研究目標🧗‍♀️：建立可用於乳腺癌免疫治療監測、評估的微環境動態可視化方法，提高乳腺癌免疫治療效果。

研究內容：融合腫瘤靶向分子、熒光蛋白等，構建可用於磁共振等的多模態成像分子探針🏃‍♂️‍➡️，在亞細胞、細胞和組織等水平，研究建立乳腺癌微環境的動態可視化新技術與新方法（空間分辨率優於500μm）🙅🏼‍♀️，實現與免疫治療相關微環境（≥2種標誌物或參數）的動態可視化監測👩🏿‍💻、評估。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度🎡🏋🏿‍♀️：定額資助🦶，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

方向4🥒、基於磁共振技術的復雜先心病形態學及血液動力學研究

研究目標：建立復雜先心病的形態學及血液動力學評估手段及模型🧑🏽‍💻，揭示其與心臟功能變化間的關聯機製。

研究內容：研究復雜先心病的三維動態磁共振成像新算法🧍🏻‍♂️，獲得心臟結構影像及血流速度🧚🏻、流量率等血液動力學參數（成像序列1.2mm分辨率，視野範圍350mm，掃描時間8-10分鐘）🤽🏿‍♂️，實現自由呼吸狀態下形成圖像🧶🏊🏼。構建多種復雜先心病的疾病譜綜合模型🧥，篩選相關的影像學生物標記，並開展與心臟功能變化相關的機製研究🤞🏿🫶。

執行期限🧔🏽：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度：定額資助🫣，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元🧘。

方向5🛹🏓、腦膠質腫瘤患者腦功能重塑預測及驗證

研究目標：揭示腦腫瘤患者行為與功能變化的大腦重塑的影像學關聯，建立術前術後患者腦功能改變的預測模型，為腦膠質瘤患者治療後康復及綜合治療提供依據🙅🏿‍♂️。

研究內容：基於多模態功能磁共振成像1️⃣、神經導航、個體化腦功能區識別等技術，實現圖像融合三維可視化🚎🧑🏻‍💻，確立腦膠質瘤患者基於種子點的功能連接🎡，闡明腦腫瘤患者行為與功能變化的大腦重塑的影像學關聯，建立治療前後腦功能改變的預測模型，並進行數據集驗證。

執行期限☂️：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目🍿，每項資助額度50萬元♔。

（二）集成電路領域

專題四🚶🏻‍♂️‍➡️、集成電路前瞻性研究

方向1🖐、超導約瑟夫森結TCAD仿真工具研究

研究目標🔱：建立超導約瑟夫森結可視化交互TCAD仿真軟件平臺，支持超導集成電路約瑟夫森結性能的仿真分析🥝🈶，仿真的約瑟夫森結臨界電流密度跟實測相比誤差在10%以內，為解決量子退火芯片中量子比特設計和工藝協同優化問題奠定關鍵基礎👮‍♂️。

研究內容：全面分析量子退火芯片核心器件——Nb基約瑟夫森結的物理機製，開發基於NEGF的量子輸運方法TCAD仿真軟件🙎🏽‍♂️，支持按工藝、材料需求進行三維器件結構建模🌘，包含約瑟夫森結界面工藝到器件結構以及電學性能的分析仿真。

執行期限🧑🏻‍🦰：2022年10月1日至2025年9月30日🧑🏼‍🚀。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目5️⃣🧖🏻‍♀️，每項資助額度100萬元。

方向2、GAA-FET器件DTCO仿真分析關鍵技術研究

研究目標⛹️：配合產業界基於較成熟的先進技術節點，提出環柵場效應管（GAA-FET）器件的工藝流程方案並通過設計工藝協同優化（DTCO）🙅‍♂️，建立合理的設計規則📐，實現器件結構優化和單元電路性能提升。

研究內容：基於先進工藝建立GAA-FET DTCO的PPA分析等全流程仿真分析方法，優化設計規則和器件結構✋🏻，構建GAA-FET器件緊湊物理模型，開展典型單元電路的仿真分析，評估整體技術方案的可行性。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目🏂，每項資助額度100萬元。

方向3、應用於先進CMOS外延工藝的RHEED定量表征方法研究及軟/硬件系統實現

研究目標🚤：針對未來先進工藝中在線實時監測半導體外延薄膜的需要，進一步發展反射式高能電子衍射（RHEED）技術，實現全晶圓粗糙度、晶格常數、缺陷等參數的數據收集👨‍👨‍👦，表面粗糙度量測精度≤0.02nm，並完成對比測試和工藝驗證及評估👩‍👧‍👦。

研究內容：基於RHEED技術開發高質量半導體外延薄膜量測系統，構建基於RHEED技術定量表征半導體薄膜粗糙度的模型🧑🏽‍🦰，發展半導體薄膜粗糙度定量表征方法，拓展RHEED定位表征薄膜缺陷的方法🫢，並應用於FinFET/GAA-FET器件核心外延工藝薄膜的表面粗糙度量測技術並實現相關量測應用🫷🏻。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日🧵。

經費額度：定額資助🧏🏿‍♂️，擬支持不超過1個項目🤸🏼‍♀️，每項資助額度100萬元🧃。

方向4🧔🏼‍♂️、14nm FinFET及以下節點工藝Litho、SiGe等核心工藝監測的研究

研究目標：創新14nm FinFET及以下工藝節點光刻（Litho）、鍺矽外延（SiGe）核心工藝監測的新方法，開發設計標準單元庫對14nm及以下工藝節點的Litho、SiGe進行有效監測🙆‍♂️，助力縮短研發周期。

研究內容：研究14nm FinFET及以下工藝節點的Litho🧏‍♂️🧻、SiGe等關鍵工藝對產品設計及其布圖（Layout）產生關鍵影響的機理及特性💆🏻。整合Layout設計與工藝，構建14nm及以下工藝節點的標準單元庫和核心工藝監測評估方法，改善優化Litho📊、SiGe等在研發上量階段的工藝⛰。

執行期限🍱：2022年10月1日至2025年9月30日🚣🏻‍♀️✤。

經費額度：定額資助👩‍✈️，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向5、FinFET工藝寄生效應的精準表征🆎、建模及測試版圖自動生成工具研究開發

研究目標：揭示FinFET器件本征及中後段工藝寄生特性引入機製，實現精準的寄生效應在片測試技術並應用於RC精準建模👩🏻‍🔬，開發具有自主知識產權的相關版圖自動生成工具。

研究內容𓀔：研究FinFET器件三維結構特有的本征及中後段工藝寄生引入機製、獨有結構寄生電容的精準拆分🏞、計算及電磁仿真擬合🧑🏼‍💼，探索極微小電容的可集成在片測試電路並應用於FinFET先進工藝建模🤟🏼。研發適用於該工藝的RC測試結構版圖自動生成工具📚✍️，生成一套適用於中後道RC參數提取的測試結構版圖🥔，進行流片驗證、測試、參數提取🌩，並建立RC參數模型𓀔🧗‍♀️。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度😍：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元🙅🏻‍♂️。

專題五、毫米波和太赫茲技術

方向1💿、適用於相幹太赫茲通信的全模擬矽基集成接收機的研究

研究目標👨🏼‍🍳：研究相幹太赫茲通信全模擬矽基集成接收機👩🏽‍🦲，在載波頻率300GHz實現單通道面積≤1mm2👨‍🦼、功耗150mW、帶寬≥3GHz的支持QAM正交調製的相控接收機設計。

研究內容：基於克拉莫-克若尼關系的太赫茲接收機，研究簡潔高效的集成全模擬太赫茲接收機電路設計🌋，優化相幹接收機整體的功耗與電路復雜度，替代傳統通信正交解調手段實現相位及振幅信息的解析⛹🏽。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日🫚。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向2、基於傳輸線理論的片上集成互連結構與元件模型和建模方法

研究目標🪤：革新射頻芯片（RFIC）原理圖和版圖設計流程，實現基於矽基片上傳輸線解析建模的RFIC設計，可兼容國產射頻集成電路仿真器以及PDK環境應用，為基於國產化EDA工具平臺發展高效率RFIC設計建立基礎🧎🏻‍♀️‍➡️。

研究內容：研究基於傳輸線理論的片上集成微帶線、傳輸線等互連結構、元件模型和建模方法🧑🏻‍⚖️，優化RFIC原理圖和版圖設計流程🚴🏿‍♀️，完善無源互連結構從器件設計到測量及模型庫開發流程🦆，完成基於Si基片上傳輸線解析建模的RFIC設計。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度：定額資助🏊🏿‍♂️👮🏼‍♂️，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

專題六、功率器件研究

方向1、基於DTCO技術的車規級智能功率MOSFET全集成研究

研究目標🎑：采用設計工藝協同優化（DTCO）技術實現功率MOSFET與控製電路的單芯片全集成及協同設計。建立控製邏輯器件🏃‍♂️、功率MOSFET模型及PDK（誤差10%以內）💁🏿‍♀️，並實現集成控製邏輯電路的功率MOSFET設計及性能驗證，探索解決低開關速率下由於安全工作區SOA超界而損壞功率MOSFET問題⚱️。

研究內容：研究並改進功率MOSFET工藝技術⏲，提出兼容功率MOSFET及控製電路的工藝製備技術路線👩🏼‍🌾⚅，滿足功率MOSFET和控製電路單芯片全集成。研究並提出面向功率MOSFET的DTCO設計方法，實現工藝、器件◀️、電路及功率MOSFET協同優化設計。

執行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

二、申報要求

除滿足前述相應條件外，還須遵循以下要求👪：

1.項目申報單位應當是註冊在本市的法人或非法人組織👳🏼‍♀️🤦，具有組織項目實施的相應能力🎦。

2.研究內容已經獲得財政資金支持的，不得重復申報。

3.所有申報單位和項目參與人應遵守科研倫理準則👨🏿‍🍼，遵守人類遺傳資源管理相關法規和病原微生物實驗室生物安全管理相關規定，符合科研誠信管理要求🧜🏻。項目負責人應承諾所提交材料真實性🚔，申報單位應當對申請人的申請資格負責🧝‍♀️，並對申請材料的真實性和完整性進行審核🙍‍♀️，不得提交有涉密內容的項目申請🦸🏼‍♂️。

4.申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由🕵️‍♂️。

5.已作為項目負責人承擔市科委科技計劃在研項目2項及以上者，不得作為項目負責人申報🙅🏻‍♀️💇🏼‍♀️。

6.項目經費預算編製應當真實👂🏻、合理，符合市科委科技計劃項目經費管理的有關要求💌。

7.各研究方向同一單位限報1項。

8.申請人在申請前應向聯合資助方了解相關項目的需求背景和要求。高端醫療裝備領域（專題1-專題3）🪧，請聯系康女士，聯系電話15000500752🚴🏻‍♂️；集成電路領域（專題4-專題6）🤏🏻，請聯系任先生，聯系電話13817606447。

9.申請項目評審通過後𓀝，申請人及所在單位將收到簽訂“探索者計劃資助項目協議書”的通知。申請人接到通知後⇨，應當及時與聯合資助方聯系，在通知規定的時間內完成協議書簽訂工作。

三、申報方式

1.項目申報采用網上申報方式，無需送交紙質材料🦹🏽‍♂️。申請人通過“中國上海”門戶網站（http://www.sh.gov.cn）--政務服務--點擊“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進入申報頁面：

【初次填寫】使用“一網通辦”登錄（如尚未註冊賬號，請先轉入“一網通辦”註冊賬號頁面完成註冊）👨‍💻📿，進入申報指南頁面📣🧑🏼‍🎤，點擊相應的指南專題，進行項目申報；

【繼續填寫】使用“一網通辦”登錄後🤵，繼續該項目的填報👨🏽‍🍳。

有關操作可參閱在線幫助。

2.項目網上填報起始時間為2022年8月17日9:00👩🏿‍⚖️，截止時間（含申報單位網上審核提交）為2022年9月5日16:30。

請依托我校申報的老師，於2022年8月26日16👟：30完成網上申報並提交，逾期不予受理。校內遴選答辯另行通知☝️。

四、評審方式

采用第一輪通訊評審、第二輪見面會評審方式👩🏽‍🍼。

五🍗、立項公示

上海市科委將向社會公示擬立項項目清單🏵，接受公眾異議。

六、咨詢電話

服務熱線🦻🏽🤽🏽：021-12345⚜️、8008205114（座機）👻、4008205114（手機）

校內聯系人：仝老師

電  話：38223022

                                          科技處

2022年8月10日